突破性第三代半导体材料!碳化硅未来5年复合增速超过34％

       碳化硅（Sic）是突破性第三代半导体材料，与前两代半导体材料相比，以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
东方财富证券周旭辉表示，主流车厂加速布局800V平台及碳化硅模块，800V强势催化打开碳化硅广阔空间。         据Yole预计，全球碳化硅功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元（73.98亿元）增长至2027年的63亿美元（423.75亿元），复合增速超过34%。

中国银河证券分析师高峰等12月13日发布的研报指出，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为设备、衬底、外延、设计、器件和封装模块，国内多数厂家仅从事产业链部分环节。

碳化硅行业三个重点环节（衬底、外延和器件）中，衬底在产业链中价值量占比最高，接近50%。海通证券分析师余伟民近期发布的研报指出，衬底是碳化硅产业链的核心，衬底行业的发展也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。

来源：摘自财联社

​