触底反弹！机构预测存储芯片平均单价有望上涨5%-10%

       随着下半年电子产业营运旺季到来，加上国际大厂的减产效应浮现，引动近来存储产业朝向正向循环方向发展。在人工智能热潮带动下，高单价DDR5内存、HBM出货比重升高，有望带动DRAM平均价格回升。
野村最新报告指出，第三季主要存储芯片价格已趋稳定或上升，价格较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加，使存储芯片平均单价有望上涨5%-10％。但DDR4和NAND领域需求仍疲弱，因此野村预期，存储芯片大厂第四季可能扩大减产，年底库存有机会降至正常水准。
市场研究公司DRAM Exchange统计数据显示，8月最新DRAM规格DDR5 16Gb(2Gx8)固定成交价平均为3.40美元，环比上涨7.26%。分析指出，由于供应商在价格谈判中态度强硬，需求方企业也接受了小幅提价。此前中泰证券数据也显示，7月DDR5模组合约价首次环比上涨，环比增幅在3%-4%之间。
TrendForce表示，需求方因预期价格反弹，正在增加DDR5产品的库存，预计第四季度DRAM固定交易价格将保持稳定，但DDR5可能会小幅上涨，涨幅最高可达5%。

与此同时，预计DRAM原厂库存价值降低的损失有望获得改善，Q3营业利润率有望可以由负转正。外资机构也预期，在产品价格回升的驱动下，整体半导体10月营收与去年同期相比，有望转为正增长。